Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 10, страницы 1333–1338 (Mi phts8351)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Failure analysis of electrical-thermal-optical characteristics of LEDs based on AlGaInP and InGaN/GaN

Huanting Chena, Arno Keppensb, Peter Hanselaerb, Yijun Luc, Yulin Gaoc, Rongrong Zhuanga, Zhong Chenc

a Department of Physics & Electronic Information Engineering, Zhangzhou Normal University, Zhangzhou, Fujian, 363000 P. R. China
b Light & Lighting Laboratory, Catholic University College Gent, Gebroeders De Smetstraat 1, B-9000 Gent, Belgium
c Department of Electronic Science, Fujian Engineering Research Center for Solid-State Lighting, Xiamen University, Xiamen, Fujian, 361005 P. R. China
PDF полного текста (1174 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: The electrical-thermal-optical characteristics of AlGaInP yellow and InGaN/GaN blue LEDs under electrical stresses were studied. Since the increase of effective acceptor concentration on $p$-type side, the forward voltages of AlGaInP decrease after 3155 h aging. And the operating voltage of high forward bias expansion for InGaN/GaN is due to the increase of the series resistance. Compared with InGaN/GaN, AlGaInP LEDs display different trend for the relationship between optical output and ideality factors. The relationship between ideality factor and radiative recombination is also studied and established. The characteristic of different intermediate adhesive is compared during aging period based on transient thermal test.
Поступила в редакцию: 20.03.2012
Принята в печать: 25.03.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 10, Pages 1310–1315
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612100041
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Huanting Chen, Arno Keppens, Peter Hanselaer, Yijun Lu, Yulin Gao, Rongrong Zhuang, Zhong Chen, “Failure analysis of electrical-thermal-optical characteristics of LEDs based on AlGaInP and InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1333–1338; Semiconductors, 46:10 (2012), 1310–1315
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CheKepHan12}
\by Huanting~Chen, Arno~Keppens, Peter~Hanselaer, Yijun~Lu, Yulin~Gao, Rongrong~Zhuang, Zhong~Chen
\paper Failure analysis of electrical-thermal-optical characteristics of LEDs based on AlGaInP and InGaN/GaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 10
\pages 1333--1338
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8351}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319273}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 10
\pages 1310--1315
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612100041}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8351
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i10/p1333
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025