Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 10, страницы 1339–1343 (Mi phts8352)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs

В. В. Кабановa, Е. В. Лебедокa, Г. И. Рябцевa, А. С. Смальa, М. А. Щемелевa, Д. А. Винокуровb, С. О. Слипченкоb, З. Н. Соколоваb, И. С. Тарасовb

a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 220072 Минск, Беларусь
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (292 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Для лазеров на основе асимметричной гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs с расширенным волноводом в предпороговой области определены скорости рекомбинации, обусловленные излучательными и безызлучательными процессами, а также рекомбинации, индуцируемой усиленной люминесценцией. Показано, что значение квантового выхода люминесценции для исследованных лазерных образцов составляет не менее 91.5%.
Поступила в редакцию: 28.03.2012
Принята в печать: 02.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 10, Pages 1316–1320
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612100077
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, А. С. Смаль, М. А. Щемелев, Д. А. Винокуров, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1339–1343; Semiconductors, 46:10 (2012), 1316–1320
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KabLebRya12}
\by В.~В.~Кабанов, Е.~В.~Лебедок, Г.~И.~Рябцев, А.~С.~Смаль, М.~А.~Щемелев, Д.~А.~Винокуров, С.~О.~Слипченко, З.~Н.~Соколова, И.~С.~Тарасов
\paper Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 10
\pages 1339--1343
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8352}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319274}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 10
\pages 1316--1320
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612100077}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8352
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i10/p1339
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025