Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 10, страницы 1363–1367 (Mi phts8357)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках

И. И. Ижнинa, К. Д. Мынбаевb, М. В. Якушевc, А. И. Ижнинa, Е. И. Фицычd, Н. Л. Баженовb, А. В. Шиляевb, Г. В. Савицкийa, R. Jakielae, А. В. Сорочкинb, В. С. Варавинb, С. А. Дворецкийb

a Научно-производственное предприятие "Карат", 79031 Львов, Украина
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 632090 Новосибирск, Россия
d Львовский национальный университет им. И. Франко, 79000 Львов, Украина
e Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, 02-668 Warsaw, Poland
PDF полного текста (259 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Исследованы электрические и оптические свойства эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных на кремниевых подложках методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Данные измерений фотолюминесценции указывают на высокое структурное совершенство пленок, а данные исследования эффекта Холла в сочетании с низкоэнергетической ионной обработкой – на низкую концентрацию остаточных доноров ($\sim$5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$). В пленках выявлено наличие акцепторных состояний, предположительно связанных с захватом примесей на структурные дефекты, типичные для сильно рассогласованных гетероэпитаксиальных структур.
Поступила в редакцию: 27.03.2012
Принята в печать: 02.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 10, Pages 1341–1345
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612100065
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, М. В. Якушев, А. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, Г. В. Савицкий, R. Jakiela, А. В. Сорочкин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1363–1367; Semiconductors, 46:10 (2012), 1341–1345
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IzhMynYak12}
\by И.~И.~Ижнин, К.~Д.~Мынбаев, М.~В.~Якушев, А.~И.~Ижнин, Е.~И.~Фицыч, Н.~Л.~Баженов, А.~В.~Шиляев, Г.~В.~Савицкий, R.~Jakiela, А.~В.~Сорочкин, В.~С.~Варавин, С.~А.~Дворецкий
\paper Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 10
\pages 1363--1367
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8357}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319279}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 10
\pages 1341--1345
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612100065}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8357
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i10/p1363
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025