Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 10, страницы 1368–1373 (Mi phts8358)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

О росте монокристаллов карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью $(11\bar22)$

А. Ю. Фадеевa, А. О. Лебедевb, Ю. М. Таировa

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376, Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (1776 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H, выращенных модифицированным методом Лели на затравках с ориентацией поверхности $(11\bar22)$. Показано, что данная плоскость затравки может быть использована для улучшения структурного совершенства слитков карбида кремния. Дефектная структура характеризуется полным отсутствием микропор, а также снижением плотности дислокаций (на порядок величины), по сравнению с затравкой. В то же время при росте на плоскости затравки $(11\bar22)$ наблюдается накопление дефектов упаковки. Характер дефектов упаковки отвечает формульному типу (5,2) в нотации Жданова (внутренний дефект по Франку).
Поступила в редакцию: 10.04.2012
Принята в печать: 16.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 10, Pages 1346–1350
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612100053
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ю. Фадеев, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров, “О росте монокристаллов карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью $(11\bar22)$”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1368–1373; Semiconductors, 46:10 (2012), 1346–1350
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FadLebTai12}
\by А.~Ю.~Фадеев, А.~О.~Лебедев, Ю.~М.~Таиров
\paper О росте монокристаллов карбида кремния политипа 4\emph{H} на затравках с плоскостью $(11\bar22)$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 10
\pages 1368--1373
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8358}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319281}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 10
\pages 1346--1350
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612100053}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8358
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i10/p1368
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025