Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев

Экспериментально исследована возможность управления эффективной высотой барьера в диодах Шоттки на кремниевых структурах, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что управление возможно как при использовании сильно легированных поверхностных однородных (3D) слоев ($\sim$10$^{20}$ см$^{-3}$), так и приповерхностных (2D) $\delta$-слоев ($\sim$10$^{13}$ см$^{-2}$), обеспечивающих туннельное прохождение тока через барьер на границе металл–полупроводник. Изучены зависимости эффективной высоты барьера от параметров сильно легированных слоев. Проведенное моделирование электронного транспорта в структурах позволило качественно объяснить наблюдаемые экспериментальные результаты.