|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 11, страницы 1388–1392
(Mi phts8362)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 35 научных статьях (всего в 35 статьях)
XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.
Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te
С. В. Морозовa, М. С. Жолудевa, А. В. Антоновa, В. В. Румянцевa, В. И. Гавриленкоa, В. Я. Алешкинa, А. А. Дубиновa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb, O. Drachenkoc, S. Winnerlc, H. Schneiderc, M. Helmc a Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
c Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-zentrum Dresden–Rossendorf,
Dresden
Аннотация:
Методом терагерцовой спектроскопии накачка-зондирование (pump-probe) исследовались времена жизни носителей в континууме квантовой ямы гетероструктур Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te. Обнаружено, что длительность релаксации сигнала пропускания составляет $\sim$65 пс и не зависит от мощности накачки. Такая быстрая релаксация в данных структурах скорее всего определяется процессами взаимодействия дырок с акустическими фононами вследствие высокой плотности состояний в валентной зоне и большей по сравнению с электронами эффективной массы. По полученным данным определены времена межзонной безызлучательной рекомбинации дырок. В работе представлены результаты численного расчета энергетического спектра модельной структуры, в которой проанализирована возможность получения инверсной населенности при заданных концентрациях неравновесных носителей.
Поступила в редакцию: 25.04.2012 Принята в печать: 25.04.2012
Образец цитирования:
С. В. Морозов, М. С. Жолудев, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1388–1392; Semiconductors, 46:11 (2012), 1362–1366
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8362 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i11/p1388
|
|