Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 11, страницы 1388–1392 (Mi phts8362)  

Эта публикация цитируется в 35 научных статьях (всего в 35 статьях)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te

С. В. Морозовa, М. С. Жолудевa, А. В. Антоновa, В. В. Румянцевa, В. И. Гавриленкоa, В. Я. Алешкинa, А. А. Дубиновa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb, O. Drachenkoc, S. Winnerlc, H. Schneiderc, M. Helmc

a Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
c Institute of Ion Beam Physics and Materials Research, Helmholtz-zentrum Dresden–Rossendorf, Dresden
Аннотация: Методом терагерцовой спектроскопии накачка-зондирование (pump-probe) исследовались времена жизни носителей в континууме квантовой ямы гетероструктур Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te. Обнаружено, что длительность релаксации сигнала пропускания составляет $\sim$65 пс и не зависит от мощности накачки. Такая быстрая релаксация в данных структурах скорее всего определяется процессами взаимодействия дырок с акустическими фононами вследствие высокой плотности состояний в валентной зоне и большей по сравнению с электронами эффективной массы. По полученным данным определены времена межзонной безызлучательной рекомбинации дырок. В работе представлены результаты численного расчета энергетического спектра модельной структуры, в которой проанализирована возможность получения инверсной населенности при заданных концентрациях неравновесных носителей.
Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 11, Pages 1362–1366
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612110139
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Морозов, М. С. Жолудев, А. В. Антонов, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, O. Drachenko, S. Winnerl, H. Schneider, M. Helm, “Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1388–1392; Semiconductors, 46:11 (2012), 1362–1366
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MorZhoAnt12}
\by С.~В.~Морозов, М.~С.~Жолудев, А.~В.~Антонов, В.~В.~Румянцев, В.~И.~Гавриленко, В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Дубинов, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, O.~Drachenko, S.~Winnerl, H.~Schneider, M.~Helm
\paper Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 11
\pages 1388--1392
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8362}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319285}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 11
\pages 1362--1366
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612110139}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8362
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i11/p1388
  • Эта публикация цитируется в следующих 35 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025