Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 11, страницы 1393–1397 (Mi phts8363)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Сопоставление различных концепций выращивания квантовых точек InAs на GaAs для лазеров диапазона 1.3 мкм

Ю. Г. Садофьев

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (403 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Проведено сопоставление DWELL-, DUWELL- и GC-SRL-концепций выращивания квантовых точек InAs в идентичных условиях эпитаксиального роста. Лазерные структуры предназначены для работы вблизи 1.3 мкм. Предложена усовершенствованная методика определения скорости роста арсенида индия. Изучена зависимость спектрального положения и интенсивности пика фотолюминесценции от типа структуры и условий эпитаксии. Показана лазерная генерация через основные состояния размерного квантования при комнатной температуре в полосковом лазере на основе DUWELL-структуры с 10 слоями квантовых точек InAs.
Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 11, Pages 1367–1371
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261211019X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Г. Садофьев, “Сопоставление различных концепций выращивания квантовых точек InAs на GaAs для лазеров диапазона 1.3 мкм”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1393–1397; Semiconductors, 46:11 (2012), 1367–1371
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sad12}
\by Ю.~Г.~Садофьев
\paper Сопоставление различных концепций выращивания квантовых точек InAs на GaAs для лазеров диапазона 1.3 мкм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 11
\pages 1393--1397
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8363}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319286}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 11
\pages 1367--1371
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261211019X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8363
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i11/p1393
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025