Определение сечения возбуждения фотолюминесценции иона Er в кремнии в случае однородного и неоднородного оптического возбуждения

Исследованы зависимости интенсивности фотолюминесценции иона эрбия в структурах Si : Er/Si в случае однородного (по поверхности образца) и неоднородного оптического возбуждения. Показано, что способ возбуждения существенно влияет на вид получаемых зависимостей. Обсуждается способ определения сечения возбуждения иона Er как при непрерывной, так и при импульсной оптической накачке. Полученное значение эффективного сечения возбуждения ионов эрбия в кремнии $\sigma$ = 5 $\cdot$ 10$^{-14}$ см$^2$ (при температуре 8 K) на порядок превышает значения, известные из литературы.