Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы

Методом спектроскопии фотолюминесценции и методами время-разрешенной фотолюминесценции проведены исследования по определению типа гетероперехода в гетероструктуре GaAs$_{1-x}$Sb$_x$/GaAs при $x$ = 0.36. Для сравнения были проведены исследования гетероструктуры GaAsSb/GaAs с долей сурьмы 15%, для которой можно уверенно говорить о гетеропереходе I типа. По синему сдвигу положения линии фотолюминесценции в зависимости от мощности возбуждения и временам релаксации сигнала фотолюминесценции от квантовой ямы GaAs$_{1-x}$Sb$_x$/GaAs, составившим $\sim$11 нс, было установлено, что при содержании сурьмы 36% структуры GaAs$_{1-x}$Sb$_x$/GaAs представляют собой ярко выраженный гетропереход II типа. Дополнительным свидетельством этого послужили данные, полученные для структур с содержанием сурьмы 15%, в которых не наблюдалось сдвига положения линии фотолюминесценции от мощности накачки, а времена релаксации фотолюминесценции в области сигнала от квантовой ямы составили $\sim$1.5 нс.