Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором

Проведен цикл исследований по изучению релаксации примесной фотопроводимости в Si:B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в слабых и “греющих” (10–500 В/см) электрических полях. Показано, что зависимость времени захвата носителей в зоне от приложенного электрического поля является немонотонной и в больших полях ($>$ 75 В/см) время захвата уменьшается с ростом поля, что связывается с подключением процессов релаксации с испусканием оптического фонона внутри зоны. Исследована зависимость темпов релаксации носителей от длины волны возбуждающего излучения, и обнаружено уменьшение времени захвата носителей в зоне в окрестности резонансов Брейта–Вигнера–Фано, обусловленное прямым захватом на примесь с испусканием оптического фонона.