Анализ состава твердых растворов (Al, Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии

Получены калибровочные линии для послойного анализа концентрации матричных элементов в слоях Al$_x$Ga$_{1-x}$As на вторично-ионном масс-спектрометре TOF.SIMS-5. Концентрация твердого раствора для набора тестовых образцов была независимо измерена методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения с учетом отклонения периода решетки и упругих модулей от закона Вегарда. Показано, что при использовании в методе вторично-ионной масс-спектрометрии распыляющих ионов Cs$^+$ и анализирующего пучка Bi$^+$ близкой к линейной для положительных ионов является зависимость отношения интенсивностей Y(CsAl$^+$)/Y(CsAs$^+$) от $x$(AlAs); при регистрации отрицательных ионов близкой к линейной является зависимость Y(Al$_2$As$^-$)/Y(As$^-$) от $x$. Эти данные позволяют нормировать профили послойного анализа в системе Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs. Кроме того, предложен простой вариант введения поправок на отклонение от закона Вегарда в рентгеновские данные.