Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером

Измерены спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с различной толщиной разделительного барьера AlSb 0.6–1.8 нм при температуре $T$ = 4.2 K. Из фурье-анализа осцилляций Шубникова–де Гааза определены концентрации электронов в ямах при различных длинах волн подсветки. Выявлены особенности, связанные с туннельной прозрачностью разделительного барьера толщиной 0.6 нм (2 монослоя). Выполненные самосогласованные расчеты энергетического профиля двойной квантовой ямы показали, что в области отрицательной остаточной фотопроводимости в структурах устанавливается симметричный, а в области положительной остаточной фотопроводимости – асимметричный профиль потенциала, приводящий к спиновому расщеплению Рашбы ($>$ 2 мэВ на уровне Ферми). Показано, что введение туннельно-прозрачного разделительного барьера увеличивает расщепление Рашбы.