Внутризонная фотопроводимость гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками, индуцированная межзонной подсветкой

Исследуется эффект продольной внутризонной фотопроводимости в нелегированных гетероструктурах InAs/GaAs с квантовыми точками. Для заселения уровней квантовых точек носителями заряда используется оптическое межзонное возбуждение разной мощности и с разной длиной волны. В отсутствие межзонной подсветки фотопроводимость в среднем инфракрасном диапазоне не наблюдается. В то же время дополнительная подсветка структур излучением видимого или ближнего инфракрасного диапазона приводит к возникновению значительного сигнала фотопроводимости в среднем инфракрасном диапазоне (3–5 мкм), связанного с внутризонными переходами в квантовых точках. Сигнал наблюдается до температуры $\sim$200 K. Использование оптической межзонной накачки позволяет увеличить сигнал внутризонной фотопроводимости по сравнению с аналогичными структурами, в которых для создания носителей на уровнях квантовых точек использовано легирование.