Влияние толщины кремниевого разделительного слоя на электролюминесценцию многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)

Представлены результаты исследований электролюминесценции многослойных $p$–$i$–$n$-структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001). Обнаружена немонотонная зависимость интенсивности сигнала электролюминесценции от островков, наблюдаемого при комнатной температуре, от толщины разделительного слоя Si. Наибольшая интенсивность сигнала электролюминесценции наблюдается для структур с толщиной разделительного слоя Si 15–20 нм. Обнаруженное существенное уменьшение сигнала электролюминесценции от островков в структурах с толстыми разделительными слоями Si ($>$ 20 нм) связывается с формированием в них дефектных областей. Наблюдаемое уменьшение интенсивности сигнала электролюминесценции в структурах с тонкими слоями Si связывается с уменьшением доли Ge в островках в этих структурах, которое вызвано увеличением диффузии Si в островки с ростом упругих напряжений в структуре.