Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Использование многослойного буферного слоя, включающего высокотемпературный слой AlN, выращенный при температуре более 1100$^\circ$C, позволило понизить плотность дислокаций в слое GaN на 1.5–2 порядка до значений 9 $\cdot$ 10$^8$–1 $\cdot$ 10$^9$ см$^{-2}$ по сравнению с выращиванием на тонком невысокотемпературном зародышевом слое AlN. Уменьшение плотности дислокаций привело к значительному увеличению подвижности электронов в слоях GaN, до значений 600–650 см$^2$/B $\cdot$ c, что согласуется с данными расчетов и свидетельствует о высоком кристаллическом совершенстве полученных слоев.