Электронная оже-спектроскопия и спектроскопия анизотропного отражения монослойных нитридных пленок на поверхностях (001) кристаллов GaAs и GaSb

Методами электронной оже-спектроскопии и спектроскопии анизотропного отражения исследовались монослойные пленки нитрида галлия, сформированные на поверхности (001)GaAs путем химической нитридизации в гидразин-сульфидных растворах. Обнаружено, что оже-сигнал азота N KLL в нитридной пленке сдвинут в сторону больших кинетических энергий на $\sim$17.2 эВ по сравнению с аналогичным сигналом для объемного кристалла GaN. Наблюдаемый сдвиг обусловлен спецификой конфигурации валентных орбиталей атомов азота, терминирующих нитридизованную поверхность (001)GaAs. У этих атомов одна из валентных орбиталей не образует химической связи и занята неподеленной парой электронов. Предложенная конфигурация подтверждается результатами анализа спектров анизотропного отражения нитридизованной поверхности (001)GaAs. Впервые выполнены опыты по химической нитридизации поверхности GaSb. Оже-спектры нитридизованной поверхности (001)GaSb оказываются подобны спектрам нитридизованной поверхности (001)GaAs. Это свидетельствует об аналогичном характере химических процессов на этих поверхностях и формировании монослойной нитридной пленки на поверхности GaSb.