Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 11, страницы 1468–1474 (Mi phts8378)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла

А. А. Ежевскийa, С. А. Попковa, А. В. Сухоруковa, Д. В. Гусейновa, N. V. Abrosimovb, H. Riemannb

a Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950, Нижний Новгород, Россия
b Leibnitz Institute for Crystal Growth, D-12489 Berlin, Germany
Аннотация: При исследовании кремния, обогащенного изотопом $^{28}$Si с малым содержанием кислорода ($N\approx$ 2 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$) при низких температурах ($T$ = 3.8 K) обнаружено семейство спектров ЭПР с анизотропными $g$-факторами, связанных с изолированным донорным центром Li, линии которых относятся к триплетным и дублетным состояниям. Спектры исследовались как без приложения, так и с приложением внешней нагрузки к образцу, и их $g$-факторы были меньше двух ($g<$ 2.000), что существенно отличает их от спектров, полученных в более ранних работах. Исходя из теоретических и экспериментальных оценок, сделанных на основе анализа спектров с помощью спинового гамильтониана, установлено, что состояния донорных электронов лития и их $g$-факторы существенно зависят от внутренних напряжений в кристалле, а также междолинных спин-орбитальных взаимодействий.
Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 11, Pages 1437–1442
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612110073
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Ежевский, С. А. Попков, А. В. Сухоруков, Д. В. Гусейнов, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1468–1474; Semiconductors, 46:11 (2012), 1437–1442
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EzhPopSou12}
\by А.~А.~Ежевский, С.~А.~Попков, А.~В.~Сухоруков, Д.~В.~Гусейнов, N.~V.~Abrosimov, H.~Riemann
\paper Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом $^{28}$Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 11
\pages 1468--1474
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8378}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319301}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 11
\pages 1437--1442
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612110073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8378
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i11/p1468
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025