Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 11, страницы 1475–1482 (Mi phts8379)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Туннелирование и токовые характеристики в двуминизонных сверхрешетках

Ю. Ю. Романова, М. Л. Орлов, Ю. А. Романов

Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (471 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: В двуминизонном приближении исследовано туннелирование электрона в полупроводниковых сверхрешетках с несимметричными элементарными ячейками. Показано, что в слабых электрических полях в условиях “антикроссинга” ванье-штарковских лестниц вероятность межминизонного туннелирования на одном периоде сверхрешетки не зависит от начального квазиимпульса и может принимать минимальные значения. В тех же полях значения тока – максимальны. Предсказаны зависимости вероятности межминизонного туннелирования и тока от направления поля. Выявлена роль диагональных элементов оператора координаты.
Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 11, Pages 1443–1450
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612110176
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Ю. Романова, М. Л. Орлов, Ю. А. Романов, “Туннелирование и токовые характеристики в двуминизонных сверхрешетках”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1475–1482; Semiconductors, 46:11 (2012), 1443–1450
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RomOrlRom12}
\by Ю.~Ю.~Романова, М.~Л.~Орлов, Ю.~А.~Романов
\paper Туннелирование и токовые характеристики в двуминизонных сверхрешетках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 11
\pages 1475--1482
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8379}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319302}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 11
\pages 1443--1450
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612110176}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8379
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i11/p1475
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025