Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12, страницы 1505–1509 (Mi phts8382)  
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии

П. В. Волковa, А. В. Горюновa, А. Ю. Лукьяновa, А. Д. Тертышникa, А. В. Новиковa, Д. В. Юрасовa, Н. А. Байдаковаa, Н. Н. Михайловb, В. Г. Ремесникb, В. Д. Кузьминb

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 ГСП-105, Нижний Новгород, Россия
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (247 kB) Список цитирования (18)
Аннотация: Продемонстрирована возможность измерения температуры подложки в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии при наклонном падении зондирующего света с помощью низкокогерентной тандемной интерферометрии. Исследованы температурные режимы установки выращивания гетероэпитаксиальных структур теллуридов кадмия и ртути “Обь-М” и установки выращивания структур кремний-германий RIBER SIVA-21. Построены калибровочные кривые в диапазоне 0–500$^\circ$C, связывающие показания штатной термопары, закрепленной внутри нагревателя, с истинной температурой подложки.
Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 12, Pages 1471–1475
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612120214
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Волков, А. В. Горюнов, А. Ю. Лукьянов, А. Д. Тертышник, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. А. Байдакова, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, В. Д. Кузьмин, “Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1505–1509; Semiconductors, 46:12 (2012), 1471–1475
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VolGorLuk12}
\by П.~В.~Волков, А.~В.~Горюнов, А.~Ю.~Лукьянов, А.~Д.~Тертышник, А.~В.~Новиков, Д.~В.~Юрасов, Н.~А.~Байдакова, Н.~Н.~Михайлов, В.~Г.~Ремесник, В.~Д.~Кузьмин
\paper Оптический мониторинг технологических параметров в условиях молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1505--1509
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8382}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319306}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1471--1475
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612120214}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8382
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i12/p1505
    • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025