Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12, страницы 1510–1514 (Mi phts8383)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр

С. В. Хазановаa, Н. В. Байдусьb, Б. Н. Звонковb, Д. А. Павловa, Н. В. Малехоноваa, В. Е. Дегтяревa, Д. С. Смотринa, И. А. Бобровa

a Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (782 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Предложен комплексный подход к анализу гетероструктур с туннельно-связанными квантовыми ямами InGaAs/GaAs, использующий как экспериментальные, так и теоретические методы исследования. Методом просвечивающей электронной микроскопии совместно с методикой энергодисперсионной рентгеновской спектрометрии было определено распределение состава твердого раствора InGaAs. Экспериментально измерены спектры фотолюминесценции и фотопроводимости для данных структур. С целью более детальной интерпретации результатов проведено компьютерное моделирование эпитаксиального роста. Путем совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитаны энергетические состояния в квантово-размерной гетероструктуре исходного и реального профилей состава. Проведено сравнение результатов расчета и данных о межзонных оптических переходах, полученных из анализа спектральных зависимостей фотолюминесценции и фотопроводимости. Получено хорошее согласие экспериментальных и теоретических результатов. Данный подход позволяет уточнить истинную геометрию структуры, сопоставить результаты спектров и реального профиля структуры, скорректировать параметры структуры и роста для улучшения оптических характеристик.
Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 12, Pages 1476–1480
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261212007X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Хазанова, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, Д. А. Павлов, Н. В. Малехонова, В. Е. Дегтярев, Д. С. Смотрин, И. А. Бобров, “Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1510–1514; Semiconductors, 46:12 (2012), 1476–1480
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaBaiZvo12}
\by С.~В.~Хазанова, Н.~В.~Байдусь, Б.~Н.~Звонков, Д.~А.~Павлов, Н.~В.~Малехонова, В.~Е.~Дегтярев, Д.~С.~Смотрин, И.~А.~Бобров
\paper Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1510--1514
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8383}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319307}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1476--1480
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261212007X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8383
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i12/p1510
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025