Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе масс-спектрометрии вторичных ионов

Предлагается способ решения прямой и обратной задач послойного анализа в методе масс-спектрометрии вторичных ионов. Обсуждаются преимущества решения некорректной обратной задачи в фурье-пространстве с регуляризацией по методу Тихонова. При восстановлении профилей концентрации элементов особое внимание уделяется их сдвигу как особенности функции разрешения масс-спектрометрии вторичных ионов. Учет сдвига достигается совместным решением прямой и обратной задач послойного анализа. Приводятся примеры работы алгоритма восстановления как для смоделированных профилей, так и для полученных в эксперименте. Показано, что использование предложенного алгоритма восстановления позволяет повысить информативность и улучшить разрешение метода по глубине. Предложенный способ учета сдвига позволяет избежать систематической погрешности определения глубин залегания тонких приповерхностных слоев.