Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12, страницы 1521–1526 (Mi phts8385)  

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Генерация частотно-перестраиваемого дальнего инфракрасного и терагерцового излучений оптическими нутациями на внутризонных переходах в асимметричных полупроводниковых наногетероструктурах

В. А. Кукушкин

Институт прикладной физики Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
Аннотация: Предложен и рассчитан частотно-перестраиваемый источник дальнего инфракрасного и терагерцового диапазонов, основанный на возбуждении фемтосекундными импульсами электромагнитного поля оптических нутаций на внутризонных переходах в полупроводниковых наногетероструктурах с асимметричными квантовыми ямами. Поскольку подзоны размерного квантования в последних характеризуются различными средними дипольными моментами, внутризонные межподзонные нутации вызывают появление низкочастотной поляризации, являющейся источником дальнего инфракрасного и терагерцового излучений. Показано, что если нутации возбуждаются не однородно по всему образцу, а с некоторым пространственным периодом, то, несмотря на их импульсный характер, генерируемое излучение будет непрерывным. Частота последнего может перестраиваться в широких пределах путeм изменения указанного периода, а также частоты следования фемтосекундных импульсов.
Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 12, Pages 1487–1492
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261212010X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Кукушкин, “Генерация частотно-перестраиваемого дальнего инфракрасного и терагерцового излучений оптическими нутациями на внутризонных переходах в асимметричных полупроводниковых наногетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1521–1526; Semiconductors, 46:12 (2012), 1487–1492
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kuk12}
\by В.~А.~Кукушкин
\paper Генерация частотно-перестраиваемого дальнего инфракрасного и терагерцового излучений оптическими нутациями на внутризонных переходах в асимметричных полупроводниковых наногетероструктурах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1521--1526
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8385}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319309}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1487--1492
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261212010X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8385
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i12/p1521
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025