Определение концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и $\delta$-слоя Si в гетероструктурах InGaAs/GaAs

Представлены сравнительные измерения адмиттанса в мезадиодах на подложке из $n^+$-GaAs и в кольцевых планарных диодных структурах на подложке $i$-GaAs, содержащие $\delta$-слой Si и квантовую яму InGaAs в эпитаксиальном слое GaAs. Показана возможность определения профиля концентрации и подвижности электронов в окрестности $\delta$-слоя и квантовой ямы InGaAs из анализа одновременно измеренных вольт-фарадных и вольт-симменсных характеристик в мезадиодах. При подобных измерениях в кольцевых диодных структурах на $i$-GaAs c данной геометрией структуры достоверно можно было определить только профиль концентрации. Обнаружено влияние относительного расположения квантовой ямы и $\delta$-слоя на профиль концентрации и значения подвижности. Также обсуждается явление максвелловской релаксации в кольцевых диодных структурах на $i$-GaAs.