Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12, страницы 1537–1541 (Mi phts8388)  

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Спиновые свойства трионов в плотном квазидвумерном электронном газе

В. П. Кочерешкоab, L. Besombesc, R. T. Coxc, H. Mariettec, T. Wojtowiczd, G. Karczewskid, J. Kossutd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Лаборатория Оптики спина имени И.Н. Уральцева, Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия
c Институт Нееля, CNRS, Гренобль, Франция
d Институт физики Польской академии наук, Варшава, Польша
Аннотация: Исследованы спектры отражения и фотолюминесценции от структур с квантовыми ямами CdTe/CdMgTe с модулированным легированием. Обнаружено, что величина и знак зеемановского расщепления линии отражения триона зависят от концентрации электронов в квантовой яме, в то же время величина и знак расщепления линии экситона абсолютно одинаковы для всех изучаемых электронных концентраций. В спектрах фотолюминесценции величина и знак зеемановских расщеплений экситона и триона были равны. Такая “перенормировка” трионного $g$-фактора объясняется в модели комбинированных экситон-электронных процессов.
Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 12, Pages 1502–1505
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612120081
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. П. Кочерешко, L. Besombes, R. T. Cox, H. Mariette, T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut, “Спиновые свойства трионов в плотном квазидвумерном электронном газе”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1537–1541; Semiconductors, 46:12 (2012), 1502–1505
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KocBesCox12}
\by В.~П.~Кочерешко, L.~Besombes, R.~T.~Cox, H.~Mariette, T.~Wojtowicz, G.~Karczewski, J.~Kossut
\paper Спиновые свойства трионов в плотном квазидвумерном электронном газе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1537--1541
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8388}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319312}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1502--1505
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612120081}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8388
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i12/p1537
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025