Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12, страницы 1542–1545 (Mi phts8389)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs

А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, Н. С. Волкова

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (243 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Исследовано влияние ионной имплантации He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs и квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.
Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 12, Pages 1506–1509
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612120068
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, Н. С. Волкова, “Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1542–1545; Semiconductors, 46:12 (2012), 1506–1509
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorKarPav12}
\by А.~П.~Горшков, И.~А.~Карпович, Е.~Д.~Павлова, Н.~С.~Волкова
\paper Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1542--1545
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8389}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319313}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1506--1509
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612120068}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8389
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i12/p1542
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025