|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12, страницы 1546–1553
(Mi phts8390)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.
Высокотемпературный ферромагнетизм Si$_{1-x}$Mn$_x$ пленок, полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости
С. Н. Николаевa, В. В. Рыльковab, Б. А. Аронзонac, К. И. Маслаковd, И. А. Лихачевa, Э. М. Пашаевa, К. Ю. Черноглазовa, А. С. Семисаловаe, Н. С. Перовe, В. А. Кульбачинскийae, О. А. Новодворскийf, А. В. Шороховаf, О. Д. Храмоваf, Е. В. Хайдуковf, В. Я. Панченкоf a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
b Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Россия
c Институт теоретической и прикладной электродинамики Российской академии наук, 127412 Москва, Россия
d Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет, 119991 Москва, Россия
e Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
f Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, 140700 Шатура, Московская обл., Россия
Аннотация:
В диапазоне температур 5–400 K и в магнитных полях до 2 Тл исследованы транспортные и магнитные свойства пленок Si$_{1-x}$Mn$_x$ толщиной 55–70 нм с различным содержанием Mn ($x$ = 0.44–0.6), полученных методом импульсного лазерного напыления на подложки Al$_2$O$_3$ (0001) при температуре 340$^\circ$C с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости. Пленки обладали металлическим характером проводимости и удельным сопротивлением $\rho$ = (2–8) $\cdot$ 10$^{-4}$ Ом $\cdot$ см, типичным для сильно вырожденных полупроводников. Обнаружено, что для сплава Si$_{1-x}$Mn$_x$ с $x\approx$ 0.5 аномальная компонента эффекта Холла доминирует над нормальной компонентой при $T$ = 300 K, а температура Кюри существенно превосходит комнатную температуру и по оценке из измерений намагниченности достигает $\sim$500 K (для силицида MnSi температура Кюри $T_\mathrm{C}$ = 30 K). Установлено, что в области низких температур величина аномальной компоненты холловской проводимости определяется “side-jump” и(или) “intrinsic” механизмами, не зависящими от времени рассеяния носителей заряда. Результаты объясняются особенностями формирования дефектов с локализованным магнитным моментом в случае пленок Si$_{1-x}$Mn$_x$ с $x\approx$ 0.5 и существенной ролью в обмене между этими дефектами спиновых флуктуаций матрицы.
Поступила в редакцию: 15.04.2012 Принята в печать: 25.04.2012
Образец цитирования:
С. Н. Николаев, В. В. Рыльков, Б. А. Аронзон, К. И. Маслаков, И. А. Лихачев, Э. М. Пашаев, К. Ю. Черноглазов, А. С. Семисалова, Н. С. Перов, В. А. Кульбачинский, О. А. Новодворский, А. В. Шорохова, О. Д. Храмова, Е. В. Хайдуков, В. Я. Панченко, “Высокотемпературный ферромагнетизм Si$_{1-x}$Mn$_x$ пленок, полученных лазерным напылением с использованием сепарации осаждаемых частиц по скорости”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1546–1553; Semiconductors, 46:12 (2012), 1510–1517
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8390 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i12/p1546
|
|