Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/ GaAs

Сформирована и исследована диодная структура с $p$–$n$-переходом и InGaAs/GaAs-квантовой ямой в области пространственного заряда, содержащая ферромагнитный слой GaMnSb в качестве полупроводника $p$-типа. Показана возможность получения эффективной электролюминесценции исследованных структур. Обнаружено, что эффективность электролюминесценции зависит от условий формирования ферромагнитного слоя GaMnSb: содержания Mn и толщины слоя. Рассмотрены возможные механизмы электролюминесценции исследованных диодов. Получена циркулярная поляризация электролюминесценции указанных структур, значение степени поляризации (0.012 в магнитном поле 0.37 Тл) практически не изменяется в диапазоне температур 10–50 K. Циркулярная поляризация излучения обусловлена инжекцией в квантовую яму спин-поляризованных дырок из ферромагнитного слоя GaMnSb.