Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12, страницы 1561–1565 (Mi phts8392)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP

С. В. Тиховa, Н. В. Байдусьb, А. А. Бирюковb, В. Е. Дегтяревa

a Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (321 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Исследован адмиттанс кольцевых планарных диодных гетеронаноструктур Au/InGaAs/InP и Au/InGaAs/ InAlAs на $i$-InP. Структуры состоят из $\delta$-слоя кремния и квантовой ямы InGaAs в эпитаксиальных слоях InP или InAlAs. Из анализа вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик определены профили распределения концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и $\delta$-слоя. Показано, что понижение температуры приводит к увеличению концентрации электронов и подвижности электронов в квантовой яме.
Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 25.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 12, Pages 1524–1528
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612120172
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, А. А. Бирюков, В. Е. Дегтярев, “Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1561–1565; Semiconductors, 46:12 (2012), 1524–1528
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TikBaiBir12}
\by С.~В.~Тихов, Н.~В.~Байдусь, А.~А.~Бирюков, В.~Е.~Дегтярев
\paper Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1561--1565
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8392}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319316}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1524--1528
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612120172}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8392
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i12/p1561
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025