Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12, страницы 1566–1570 (Mi phts8393)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Фотоиндуцированное и равновесное поглощение света в квантовых точках Ge/Si

Л. Е. Воробьевa, Д. А. Фирсовa, В. А. Шалыгинa, В. Ю. Паневинa, А. Н. Софроновa, А. И. Якимовb, А. В. Двуреченскийb, А. А. Тонкихc, P. Wernerc

a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
c Max Planck Institute of Microstructure Physics, 06120 Halle(Saale), Germany
PDF полного текста (656 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Представлены результаты исследования спектров оптического поглощения в структурах с квантовыми точками Ge/Si в среднем инфракрасном диапазоне. Исследовались 2 типа структур, различающихся методами формирования квантовых точек и шириной барьерных слоев. Изучено фотоиндуцированное поглощение при неравновесном заполнении дырочных состояний, а также поглощение света в структурах с разным уровнем легирования. Обнаружены особенности, связанные с заполнением основного и возбужденного состояний квантовой точки, демонстрирующие зависимость от поляризации излучения. По полученным данным экспериментально определен энергетический спектр дырок в структурах обоих типов.
Поступила в редакцию: 15.04.2012
Принята в печать: 15.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 12, Pages 1529–1533
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612120226
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Тонких, P. Werner, “Фотоиндуцированное и равновесное поглощение света в квантовых точках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1566–1570; Semiconductors, 46:12 (2012), 1529–1533
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VorFirSha12}
\by Л.~Е.~Воробьев, Д.~А.~Фирсов, В.~А.~Шалыгин, В.~Ю.~Паневин, А.~Н.~Софронов, А.~И.~Якимов, А.~В.~Двуреченский, А.~А.~Тонких, P.~Werner
\paper Фотоиндуцированное и равновесное поглощение света в квантовых точках Ge/Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1566--1570
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8393}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319317}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1529--1533
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612120226}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8393
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i12/p1566
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025