Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 12, страницы 1571–1575 (Mi phts8394)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

XVI симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.

Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP

Д. С. Абрамкин, М. А. Путято, А. К. Гутаковский, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, Т. С. Шамирзаев

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (855 kB) Список цитирования (10)
Аннотация: Обсуждается атомное и энергетическое строение самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP. Показано, что квантовые точки состоят из практически полностью релаксированного GaSb и имеют энергетическую структуру первого рода c основным электронным состоянием, принадлежащим непрямой долине зоны проводимости GaSb.
Поступила в редакцию: 25.04.2012
Принята в печать: 14.06.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 12, Pages 1534–1538
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612120020
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Абрамкин, М. А. Путято, А. К. Гутаковский, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, Т. С. Шамирзаев, “Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1571–1575; Semiconductors, 46:12 (2012), 1534–1538
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbrPutGut12}
\by Д.~С.~Абрамкин, М.~А.~Путято, А.~К.~Гутаковский, Б.~Р.~Семягин, В.~В.~Преображенский, Т.~С.~Шамирзаев
\paper Новая система самоорганизованных квантовых точек GaSb/GaP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1571--1575
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8394}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319318}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 12
\pages 1534--1538
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612120020}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8394
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i12/p1571
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025