Растворимость осмия в кремнии

Исследованы растворимость и коэффициент сегрегации осмия в кремнии в интервале температур ${1150\div1280^{\circ}}$С, а также свойства электрически активных центров, создаваемых Os в кремнии. Установлено, что коэффициенты сегрегации Os в $n$- и $p$-Si различаются почти на порядок. Исследована температурная зависимость подвижности носителей в $n$-Si$\langle$Os$\rangle$ и в $p$-Si$\langle$Os$\rangle$. Обсуждены полученные результаты. Сделан вывод о том, что центр ${E_{c}-0.53}$ эВ представляет собой комплекс «узельный атом примеси + вакансия», деформированный за счет эффекта Яна–Теллера.