Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 11, страницы 2066–2071 (Mi phts960)  

Образование энергетической щели у полуметалла Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te при одноосной деформации

С. Г. Гасан-заде, В. А. Ромака, Е. А. Сальков, Г. А. Шепельский
Аннотация: Проведено систематическое исследование образования энергетической щели при одноосной упругой деформации сжатия сплавов Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te полуметаллической фазы. Показано, что при гелиевых температурах у полуметаллических сплавов Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te особенности в полевых зависимостях магнитосопротивления $\rho(H)$ и пьезосопротивления $\rho(P)$, а также коэффициента Холла $R_{X}(H)$ и $R_{X}(P)$ связаны с участием в явлениях переноса трех групп носителей тока: свободных электронов зоны проводимости, термически активированных дырок валентной зоны и электронов примесной акцепторной зоны. Определены зависимость энергетической щели, образованной одноосной деформацией, от величины деформации ${dE/dP=(5.1\pm0.2)}$ мэВ/кбар, а также константы деформационного потенциала ${b=-0.9}$ эВ и ${d=-1.3}$ эВ.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Г. Гасан-заде, В. А. Ромака, Е. А. Сальков, Г. А. Шепельский, “Образование энергетической щели у полуметалла Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te при одноосной деформации”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2066–2071
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sal87}
\by С.~Г.~Гасан-заде, В.~А.~Ромака, Е.~А.~Сальков, Г.~А.~Шепельский
\paper Образование энергетической щели у~полуметалла Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
при одноосной деформации
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 11
\pages 2066--2071
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts960}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts960
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i11/p2066
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026