Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 11, страницы 2082–2084 (Mi phts964)  
Краткие сообщения

Рекомбинация в Si после термообработки и $\gamma$-облучения

Ф. А. Заитов, Ю. М. Добровинский, В. Б. Неймаш, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич
PDF полного текста (468 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. А. Заитов, Ю. М. Добровинский, В. Б. Неймаш, В. М. Цмоць, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, “Рекомбинация в Si после термообработки и $\gamma$-облучения”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2082–2084
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZaiSha87}
\by Ф.~А.~Заитов, Ю.~М.~Добровинский, В.~Б.~Неймаш, В.~М.~Цмоць, В.~И.~Шаховцов, В.~Л.~Шиндич
\paper Рекомбинация в~Si после термообработки и~$\gamma$-облучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 11
\pages 2082--2084
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts964}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts964
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i11/p2082
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025