Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 12, страницы 2159–2163 (Mi phts985)  

О природе аномальных свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS

Л. Н. Неустроев, В. В. Осипов
Аннотация: Рассмотрено влияние поверхностных окисных фаз на фотоэлектрические процессы, протекающие в поликристаллических пленках типа PbS. Сделан вывод, что туннельно прозрачные для дырок окисные фазы на поверхности кристаллитов одновременно являются непроницаемыми для электронов. С этой точки зрения дано объяснение ряда «аномальных» экспериментальных результатов, опубликованных ранее в литературе. Показано, что наличие окисных фаз в поликристаллических пленках типа PbS является необходимым условием для реализации их максимально возможной фоточувствительности.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Неустроев, В. В. Осипов, “О природе аномальных свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2159–2163
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NeuOsi87}
\by Л.~Н.~Неустроев, В.~В.~Осипов
\paper О природе аномальных свойств фоточувствительных поликристаллических
пленок типа PbS
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 12
\pages 2159--2163
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts985}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts985
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i12/p2159
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025