|
|
Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 12, страницы 2159–2163
(Mi phts985)
|
|
|
|
О природе аномальных свойств фоточувствительных поликристаллических
пленок типа PbS
Л. Н. Неустроев, В. В. Осипов
Аннотация:
Рассмотрено влияние поверхностных окисных фаз
на фотоэлектрические процессы, протекающие в поликристаллических пленках
типа PbS. Сделан вывод, что туннельно прозрачные для дырок окисные фазы
на поверхности кристаллитов одновременно являются непроницаемыми для
электронов. С этой точки зрения дано объяснение ряда «аномальных»
экспериментальных результатов, опубликованных ранее в литературе.
Показано, что наличие окисных фаз в поликристаллических
пленках типа PbS является необходимым условием для
реализации их максимально возможной фоточувствительности.
Образец цитирования:
Л. Н. Неустроев, В. В. Осипов, “О природе аномальных свойств фоточувствительных поликристаллических
пленок типа PbS”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2159–2163
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts985 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i12/p2159
|
|