Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 1984, том 10, выпуск 7, страницы 420–422 (Mi pjtf1204)  
Полевой транзистор с изолированным затвором

Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев
PDF полного текста (251 kB)
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. А. Ильичев, Ю. П. Маслобоев, Э. А. Полторацкий, А. В. Родионов, Ю. В. Слепнев, “Полевой транзистор с изолированным затвором”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984), 420–422
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IliMasPol84}
\by Э.~А.~Ильичев, Ю.~П.~Маслобоев, Э.~А.~Полторацкий, А.~В.~Родионов, Ю.~В.~Слепнев
\paper Полевой транзистор с~изолированным затвором
\jour Письма в ЖТФ
\yr 1984
\vol 10
\issue 7
\pages 420--422
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf1204}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf1204
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v10/i7/p420
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025