|
Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP
А. Е. Маричев, В. С. Эполетов, А. С. Власов, Б. В. Пушный, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Представлены результаты исследований методом тока, индуцированного электронным зондом, $p$–$n$-переходов на основе InP с кристаллитами GaP в области объемного заряда. Показано, что введение кристаллитов в область пространственного заряда приводит к закорачиванию $p$–$n$-перехода. Качество материала, выращенного поверх кристаллитов, позволяет создавать фотоактивные области, о чем свидетельствуют измерения спектров фотолюминесценции.
Ключевые слова:
кристаллиты, туннельный переход, соединительный элемент.
Поступила в редакцию: 01.06.2021 Исправленный вариант: 15.08.2021 Принята в печать: 18.08.2021
Образец цитирования:
А. Е. Маричев, В. С. Эполетов, А. С. Власов, Б. В. Пушный, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, “Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP”, Письма в ЖТФ, 47:22 (2021), 52–54
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4630 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i22/p52
|
|