Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением

Рассмотрены массивы кремниевых вертикально ориентированных волокон, полученных сухим криогенным травлением кремниевых подложек с концентрацией свободных электронов $n$ = 10$^{16}$ и 10$^{17}$ cm$^{-3}$, высотой 6 $\mu$m и диаметром 1.7 и 1.2 $\mu$m соответственно. Продемонстрировано, что напыление золота позволяет сформировать диод Шоттки с коэффициентом идеальности 1.1 – 1.3 и высотой барьера 0.6 – 0.7 eV при данных параметрах этих массивов. Показано, что экспериментальные кривые вольт-фарадных характеристик таких структур могут быть проанализированы с помощью модели, учитывающей вклад в емкость от всей поверхности волокон. Это позволило провести численную оценку профиля концентрации свободных носителей заряда именно в массиве волокон, что показало хорошее численное совпадение с уровнем легирования в исходных подложках.