Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 9, страницы 7–10
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.09.50898.18673 (Mi pjtf4794) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Диэлектрические и пироэлектрические свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке карбида кремния на кремнии

А. В. Солнышкинa, О. Н. Сергееваa, О. А. Шустоваa, Ш. Ш. Шарофидиновbc, М. В. Старицынd, Е. Ю. Каптеловb, С. А. Кукушкинc, И. П. Пронинb

a Тверской государственный университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт проблем машиноведения РАН, г. Санкт-Петербург
d НИЦ "Курчатовский институт" – Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" им. И.В. Горынина, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (602 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.09.50898.18673
Аннотация: Исследованы микроструктура, диэлектрические и пироэлектрические свойства композитных эпитаксиальных слоев Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, выращенных на подложках SiC/(111)Si методом хлорид-гидридной эпитаксии. Обнаружено явление самопроизвольного (в процессе роста слоев) образования системы гетеропереходов. На основе эпитаксиальных слоев Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N получен материал, обладающий на данный момент одним из самых больших значений пирокоэффициентов для кристаллов (или тонких пленок) нитрида алюминия.
Ключевые слова: нитрид алюминия, нитрид галлия, твердые растворы нитридов алюминия и галлия, карбид кремния на кремнии, хлорид-гидридная эпитаксия, диэлектрические свойства, пироэлектрические свойства.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 20-12-00193
Работа выполнена в рамках проекта Российского научного фонда № 20-12-00193.
Поступила в редакцию: 28.12.2020
Исправленный вариант: 28.12.2020
Принята в печать: 26.01.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 6, Pages 466–469
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021050138
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Солнышкин, О. Н. Сергеева, О. А. Шустова, Ш. Ш. Шарофидинов, М. В. Старицын, Е. Ю. Каптелов, С. А. Кукушкин, И. П. Пронин, “Диэлектрические и пироэлектрические свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке карбида кремния на кремнии”, Письма в ЖТФ, 47:9 (2021), 7–10; Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 466–469
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SolSerShu21}
\by А.~В.~Солнышкин, О.~Н.~Сергеева, О.~А.~Шустова, Ш.~Ш.~Шарофидинов, М.~В.~Старицын, Е.~Ю.~Каптелов, С.~А.~Кукушкин, И.~П.~Пронин
\paper Диэлектрические и пироэлектрические свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке карбида кремния на кремнии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 9
\pages 7--10
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4794}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.09.50898.18673}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46318366}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 6
\pages 466--469
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021050138}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4794
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i9/p7
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025