Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm

Проведено исследование солнечных элементов на основе нового типа наноструктур – квантовых ям-точек (КЯТ), представляющих собой слой In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As с выраженными модуляциями состава и толщины. Энергии наблюдаемых оптических переходов в КЯТ оказываются близки к энергиям переходов с участием тяжелой и легкой дырки в двумерной квантовой яме той же номинальной толщины и состава. Пик основного состояния характеризуется сильной ТЕ-поляризацией ( $>$ 70%), а более коротковолновый пик практически не поляризован ( $<$ 10%).