Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 21, страницы 37–39
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48472.17973 (Mi pjtf5280) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения

М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (144 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48472.17973
Аннотация: Исследована аномалия, возникающая в фотовольтаических характеристиках трехпереходных GaInP/GaAs/Ge и соответствующих двухпереходных GaInP/GaAs солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях (более 2000 солнц) падающего излучения. Проанализированы световые вольт-амперные характеристики при различных концентрациях падающего излучения и зависимость напряжения холостого хода от фотогенерированного тока. Показано, что причиной аномалии является встречно включенный между субэлементами GaInP и GaAs туннельный диод, поглощающий прошедшие сквозь слои GaInP фотоны и генерирующий встречную фотоэдс.
Ключевые слова: многопереходный солнечный элемент, концентрированное солнечное излучение, фотовольтаические характеристики, вольт-амперные характеристики, встречная электродвижущая сила, туннельный диод.
Поступила в редакцию: 10.07.2019
Исправленный вариант: 10.07.2019
Принята в печать: 16.07.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 11, Pages 1100–1102
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019110099
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 37–39; Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1100–1102
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MinEvsMin19}
\by М.~А.~Минтаиров, В.~В.~Евстропов, С.~А.~Минтаиров, М.~З.~Шварц, Н.~А.~Калюжный
\paper Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 21
\pages 37--39
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5280}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48472.17973}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848465}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 11
\pages 1100--1102
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019110099}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5280
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i21/p37
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025