Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 21, страницы 48–50
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48475.17975 (Mi pjtf5283) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке

Р. Р. Резникa, К. П. Котлярb, Н. В. Крыжановскаяb, С. В. Морозовcd, Г. Э. Цырлинabefg

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
d Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
e Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
g Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (407 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48475.17975
Аннотация: Продемонстрирована принципиальная возможность синтеза наноструктур InGaN разветвленной морфологии (“наноцветов”) методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности подложки кремния. Результаты морфологических исследований показали, что развитие морфологии наноструктур InGaN происходит в несколько этапов даже при поддержании неизменной температуры подложки. Выращенные структуры демонстрируют линию фотолюминесценции в широком диапазоне длин волн от 450 до 950 nm при комнатной температуре.
Ключевые слова: нитридные наноструктуры, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, оптоэлектроника.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-30010
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.2483.2017/4.6
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-03037-офи
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 19-72-30010). Синтез образцов проведен при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ (в рамках выполнения госзадания № 16.2483.2017/4.6). Исследования оптических свойств синтезированных образцов осуществлены при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 16-29-03037-офи).
Поступила в редакцию: 11.07.2019
Исправленный вариант: 18.07.2019
Принята в печать: 18.07.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 11, Pages 1111–1113
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019110129
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Р. Резник, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 48–50; Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1111–1113
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RezKotKry19}
\by Р.~Р.~Резник, К.~П.~Котляр, Н.~В.~Крыжановская, С.~В.~Морозов, Г.~Э.~Цырлин
\paper Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 21
\pages 48--50
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5283}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.21.48475.17975}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848470}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 11
\pages 1111--1113
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019110129}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5283
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i21/p48
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025