Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 13, страницы 52–54
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47960.17765 (Mi pjtf5397) 		 
Релаксация напряжений в кристаллах CrSi$_{2}$, выращенных в условиях невесомости из расплава Zn системы Cr–Si–Zn

Е. В. Калашников, В. Н. Гурин, С. П. Никаноров, М. А. Яговкина, Л. И. Деркаченко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (81 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47960.17765
Аннотация: Приводятся и анализируются экспериментальные данные по исследованию микрокристаллов CrSi$_{2}$, выращенных в условиях невесомости из расплава Zn системы Cr–Si–Zn методом массовой кристаллизации и помещенных в земные условия. Обнаружены новые свойства таких кристаллов.
Ключевые слова: кристаллизация, невесомость, кристаллическая структура, релаксация, избыточное напряжение, дефекты, решеточные константы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI62117X0018
Работа выполнена при (частичной) финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (идентификатор проекта RFMEFI62117X0018) в рамках исследований по теме 9.7 (0040-2014-0007).
Поступила в редакцию: 05.03.2019
Исправленный вариант: 03.04.2019
Принята в печать: 03.04.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 7, Pages 687–689
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501907006X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Калашников, В. Н. Гурин, С. П. Никаноров, М. А. Яговкина, Л. И. Деркаченко, “Релаксация напряжений в кристаллах CrSi$_{2}$, выращенных в условиях невесомости из расплава Zn системы Cr–Si–Zn”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 52–54; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 687–689
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KalGurNik19}
\by Е.~В.~Калашников, В.~Н.~Гурин, С.~П.~Никаноров, М.~А.~Яговкина, Л.~И.~Деркаченко
\paper Релаксация напряжений в кристаллах CrSi$_{2}$, выращенных в условиях невесомости из расплава Zn системы Cr--Si--Zn
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 13
\pages 52--54
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5397}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47960.17765}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131119}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 7
\pages 687--689
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501907006X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5397
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i13/p52
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025