|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии
Н. С. Потапович, Н. Х. Тимошина, В. П. Хвостиков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Рассмотрена возможность создания методом жидкофазной эпитаксии фотопреобразователей лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, предназначенных для использования в системах беспроводной передачи энергии по лазерному лучу на длинах волн $\lambda\approx$ 1.06–1.2 $\mu$m.
Поступила в редакцию: 21.05.2018
Образец цитирования:
Н. С. Потапович, Н. Х. Тимошина, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 31–38; Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 820–822
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5691 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i18/p31
|
|