Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных $S$-диодов на основе GaAs

Представлены результаты исследования процессов переноса носителей заряда и перезарядки глубоких уровней в полупроводниковых структурах для лавинных $S$-диодов. Исследованы арсенид-галлиевые структуры $n^{+}$–$\pi$–$\nu$–$n$-типа с диффузионным распределением глубокого акцептора железа. В ходе решения уравнений непрерывности и Пуассона с использованием коммерческого пакета проектирования обнаружено влияние инжекции электронов на напряжение лавинного пробоя, а также эффект расширения области пространственного заряда за счет захвата лавинных дырок на отрицательные ионы железа в $\pi$-области. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что $S$-образная вольт-амперная характеристика диффузионных лавинных $S$-диодов необъяснима с позиций ранее предложенного механизма захвата лавинных дырок на глубокие уровни железа.