Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si

Проведены исследования $C$–$V$-характеристик и DLTS-спектров гетероструктур из слоев плотноупакованных аморфных наночастиц Si, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на монокристаллические подложки $p$-Si. Наблюдаемые закономерности в поведении $C$–$V$-характеристик и DLTS-спектров, измеренных в темноте и при подсветке белым светом с различными значениями напряжений импульса $U_{b}$ и импульса заполнения $U_{f}$, позволили предположить, что пространственно локализованные аморфные наночастицы Si имеют средний размер – менее 2 nm, что сопоставимо с длиной волны де Бройля электрона, и характеризуются квантовым ограничением. Происходит образование основного и возбужденного состояний квантовых точек, проявляющих эффекты Штарка, электрического диполя и контролируемого метастабильного заполнения при подсветке.