Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 4, страницы 89–93
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.04.44302.16344 (Mi pjtf5995) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока

В. А. Сергеевab, И. В. Фроловa, О. А. Радаевab

a Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Ульяновский государственный технический университет
PDF полного текста (106 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.04.44302.16344
URL: https://journals.ioffe.ru/pjtf/2017/04/page-89.html.ru
Аннотация: Показана возможность использования значений порогового тока для оценки качества светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов. Определено, что значения порогового тока коррелируют со значениями тока, при котором наблюдается максимум токовой зависимости внешней квантовой эффективности светодиода. Показано, что при испытаниях в режиме постоянного тока светодиоды с большими значениями порогового тока деградируют быстрее, чем светодиоды с малыми значениями порогового тока.
Поступила в редакцию: 26.05.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 2, Pages 224–226
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017020250
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Сергеев, И. В. Фролов, О. А. Радаев, “Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока”, Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 89–93; Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 224–226
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerFroRad17}
\by В.~А.~Сергеев, И.~В.~Фролов, О.~А.~Радаев
\paper Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 4
\pages 89--93
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5995}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.04.44302.16344}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28968759}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 2
\pages 224--226
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785017020250}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5995
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i4/p89
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025