Получение стехиометрической пленки Bi$_{2}$Se$_{3}$ вакуумно-термической обработкой гетероструктуры Se/Bi

Впервые показана возможность получения стехиометрической пленки Bi$_{2}$Se$_{3}$ вакуумно-термической обработкой гетероструктуры Se/Bi. Установлено, что получение стехиометрической пленки Bi$_{2}$Se$_{3}$ возможно только при определенном соотношении толщин пленок Se и Bi ($d_{\mathrm{Se}}/d_{\mathrm{Bi}}$ = 3.13). Методами рентгеновской дифрактометрии и спектроскопии комбинационного рассеяния света изучены фазовые превращения, протекающие в гетероструктуре Se(141 nm)/ Bi(45 nm) после вакуумно-термической обработки. Определены температуры фазового перехода, при которых образуются различные кристаллические фазы. Показано, что в гетероструктуре Se(141 nm)/Bi(45 nm), нагретой до 493 K, процесс кристаллизации Bi$_{2}$Se$_{3}$ протекает по экспоненциальному закону с характерным временем установления равновесного состояния 20 min.