Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 13, страницы 80–86 (Mi pjtf6376)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала

В. В. Емцевa, Е. Е. Заваринa, Г. А. Оганесянa, В. Н. Петровa, А. В. Сахаровa, Н. М. Шмидтa, В. Н. Вьюгиновb, А. А. Зыбинb, Я. М. Парнесb, С. И. Видякинc, А. Г. Гудковc, А. Е. Черняковd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
c Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана
d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (724 kB) Список цитирования (6)
URL: https://journals.ioffe.ru/pjtf/2016/13/page-80.html.ru
Аннотация: Приведены первые экспериментальные результаты, демонстрирующие корреляцию подвижности электронов в двумерном канале AlGaN/GaN транзисторных (AlGaN/GaN-HEMT) структур с характером организации наноматериала, а также с надежностью параметров транзисторов при эксплуатации. Показано, что улучшение характера организации наноматериала структур AlGaN/GaN-HEMT-структур, количественно охарактеризованное мультифрактальным параметром степени разупорядоченности (нарушение локальной симметрии) наноматериала, сопровождается существенным, в несколько раз, увеличением подвижности электронов в двумерном канале и надежности параметров транзисторов, полученных из этих структур.
Поступила в редакцию: 26.02.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 7, Pages 701–703
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016070075
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, А. В. Сахаров, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, “Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016), 80–86; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 701–703
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EmtZavOga16}
\by В.~В.~Емцев, Е.~Е.~Заварин, Г.~А.~Оганесян, В.~Н.~Петров, А.~В.~Сахаров, Н.~М.~Шмидт, В.~Н.~Вьюгинов, А.~А.~Зыбин, Я.~М.~Парнес, С.~И.~Видякин, А.~Г.~Гудков, А.~Е.~Черняков
\paper Взаимосвязь надежности AlGaN/GaN транзисторов с характером организации наноматериала
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 13
\pages 80--86
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6376}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368254}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 7
\pages 701--703
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016070075}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6376
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i13/p80
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025