Оптическая диагностика гетероструктур на основе InGaAsP/InP(001)

Методом спектроскопии анизотропного отражения изучены пленки твердого раствора In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As$_{0.5}$P$_{0.5}$. Пленки толщиной 50–1000 nm выращены на подложках InP(001) с использованием буферного слоя разной толщины. Обнаружено, что в процессе хранения образцы с буферным слоем толщиной 1 $\mu$m могут деградировать. Деградация происходит, вероятно, в области буферного слоя и сопровождается релаксацией внутреннего напряжения в структуре. Интенсивность фотолюминесценции образца при этом снижается, рельеф поверхности пленки твердого раствора сохраняется.