Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2024, том 50, выпуск 16, страницы 3–6
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.16.58528.19935 (Mi pjtf6738) 		 
Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения

А. С. Гудовскихab, А. И. Барановa, А. В. Уваровa, Е. А. Вячеславоваa, А. А. Максимоваab, Е. В. Никитинаa, И. П. Сошниковacd

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
d Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (272 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.16.58528.19935
Аннотация: Впервые сформированы AlP/Si-гетероструктуры с помощью метода комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения и проведены исследования их электронных свойств. Экспериментальная оценка разрыва зон проводимости $\Delta E_C$ на границе AlP/Si дает значение 0.35 $\pm$ 0.10 eV, которое существенно меньше разрыва валентных зон, что открывает возможность использования AlP в качестве электронного селективного контакта к Si для солнечных элементов.
Ключевые слова: фосфид алюминия, кремний, селективный контакт, солнечный элемент.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 21-79-10413
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 21-79-10413 (https://rscf.ru/en/project/21-79-10413 /).
Поступила в редакцию: 28.03.2024
Исправленный вариант: 12.04.2024
Принята в печать: 22.04.2024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Гудовских, А. И. Баранов, А. В. Уваров, Е. А. Вячеславова, А. А. Максимова, Е. В. Никитина, И. П. Сошников, “Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖТФ, 50:16 (2024), 3–6
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GudBarUva24}
\by А.~С.~Гудовских, А.~И.~Баранов, А.~В.~Уваров, Е.~А.~Вячеславова, А.~А.~Максимова, Е.~В.~Никитина, И.~П.~Сошников
\paper Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2024
\vol 50
\issue 16
\pages 3--6
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6738}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=68959695}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6738
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v50/i16/p3
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:38
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026